外网网友惊人预测

近日，外网一位技术背景超强的网友发帖称，中国有望通过激光诱导放电等离子体(LDP)EUV生成商业化准动是光刻技术的DeepSeek时刻。这位网友拥有独特视角，她的观点引发广泛关注。

技术路线全面覆盖

我国的EUV光刻机相关技术专利已全面覆盖LPP-EUV、DPP-EUV、LDP-EUV等技术路线。前三种技术路线由EUV光源、反射镜、双工件台、真空腔等4部分组成，主要区别在于光源工作原理。

LPP-EUV光源剖析

LPP-EUV光源通过高功率激光脉冲轰击液态金属靶材产生EUV光，是主流技术。它优点众多，如高转换效率、低碎屑污染等，但也有系统复杂、热管理挑战等缺点。

DPP-EUV光源解读

DPP-EUV光源通过高压放电产生等离子体释放EUV光，早期是研究方向，现逐渐被边缘化。它有结构简单等优点，也有电极损耗严重等缺点。

LDP-EUV光源探秘

LDP-EUV光源结合激光和放电技术，有望集合其他光源优点。它有提升效率等优点，但技术不成熟，系统复杂度增加。

我国EUV光刻机展望

我国第一代EUV光刻机可能采用LPP-EUV和LDP-EUV技术路线，研究深入。若率先研制出LDP-EUV光源的极紫外光刻机，有望换道超车。